您正在瀏覽的是香港網站,香港證監會BJA907號,投資有風險,交易需謹慎
传台积电2nm制程研发有重大突破 业界料将抛离三星
阿思达克 09-22 11:27
据台湾传媒报道,台积电(TSM.US)2nm制程研发获重大突破,而供应链消息指公司2nm改采全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,研发进度超前,业界预期2023年下半年的风险性试产良率即可达九成,相信有助未来持续获取来自苹果(AAPL.US)、NVIDIA等大厂的先进制程大单,抛离竞争对手三星。

报道指,三星预期年底来投入5nm制程,进度远落後於台积电,加上台积电在2nm方面有重大突破,意味未来朝1nm推进的可能性大增,进一步扩大与三星之间的距离。业界亦估计台积电2nm晶片的良率及效应值得期待,估计推出後可获苹果、NVIDIA、高通等大客户采用。(el/a) ~

關注uSMART
FacebookTwitterInstagramYouTube 追蹤我們,查閱更多實時財經市場資訊。想和全球志同道合的人交流和發現投資的樂趣?加入 uSMART投資群 並分享您的獨特觀點!立刻掃碼下載uSMART APP!
重要提示及免責聲明
盈立證券有限公司(「盈立」)在撰冩這篇文章時是基於盈立的內部研究和公開第三方資訊來源。儘管盈立在準備這篇文章時已經盡力確保內容為準確,但盈立不保證文章資訊的準確性、及時性或完整性,並對本文中的任何觀點不承擔責任。觀點、預測和估計反映了盈立在文章發佈日期的評估,並可能發生變化。盈立無義務通知您或任何人有關任何此類變化。您必須對本文中涉及的任何事項做出獨立分析及判斷。盈立及盈立的董事、高級人員、僱員或代理人將不對任何人因依賴本文中的任何陳述或文章內容中的任何遺漏而遭受的任何損失或損害承擔責任。文章內容只供參考,並不構成任何證券、金融產品或工具的要約、招攬、建議、意見或保證。
投資涉及風險,證券的價值和收益可能會上升或下降。往績數字並非預測未來表現的指標。
uSMART
輕鬆入門 投資財富增值
開戶